Output Characteristics of Graphene Field Effect Transistors
Open Access
- 17 December 2020
- journal article
- research article
- Published by Belarusian National Technical University in Devices and Methods of Measurements
- Vol. 11 (4), 298-304-304
- https://doi.org/10.21122/2220-9506-2020-11-4-298-304
Abstract
Использование графена, который обладает высокой подвижностью носителей заряда, высокой теплопроводностью и рядом других положительных свойств, является перспективным для создания новых полупроводниковых приборов с хорошими выходными характеристиками. Целью работы являлось моделирование выходных характеристик полевых транзисторов, содержащих графен, с использованием метода Монте-Карло и решения уравнения Пуассона. Рассмотрены две конструкции полупроводниковых структур, в которых одиночный слой (или монослой) графена располагается на подложке, сформированной из материала карбид кремния типа 6Н-SiC. Особенностью первой из них является то, что контактные области стока и истока полностью располагались на слое графена, длина которого вдоль продольной координаты равнялась длине подложки. Конструкция второй структуры отличалась от первой конструкции тем, что длина слоя графена была укорочена и области стока и истока частично располагались на слое графена, а частично на подложке. Путём моделирования получены основные выходные характеристики полевых транзисторов, построенных на основе двух рассмотренных полупроводниковых структур. Моделирование выполнялось с использованием метода статистического моделирования – метода Монте-Карло. Для выполнения моделирования был разработан вычислительный алгоритм, составлена и отлажена программа численного моделирования методом Монте-Карло в трёхмерном пространстве с использованием уравнения Пуассона. Результаты выполненных исследований показывают, что разработка полевых транзисторов с использованием слоёв графена может улучшить выходные характеристики – увеличить выходной ток и крутизну, а также повысить предельную частоту работы полупроводниковых структур в высокочастотных диапазонах.Keywords
This publication has 8 references indexed in Scilit:
- Computational ElectronicsPublished by Taylor & Francis Ltd ,2017
- High-field transport in two-dimensional graphenePhysical Review B, 2011
- Effect of high-gate dielectrics on charge transport in graphene-based field effect transistorsPhysical Review B, 2010
- Top-Gated Epitaxial Graphene FETs on Si-Face SiC Wafers With a Peak Transconductance of 600 mS/mmIEEE Electron Device Letters, 2010
- High-field transport and velocity saturation in grapheneApplied Physics Letters, 2009
- Epitaxial-Graphene RF Field-Effect Transistors on Si-Face 6H-SiC SubstratesIEEE Electron Device Letters, 2009
- Self-consistent calculations for n-type hexagonal SiC inversion layersJournal of Applied Physics, 2004
- Dependence of energy gaps and effective masses on atomic positions in hexagonal SiCJournal of Applied Physics, 1999