INVESTIGATION ON THE PROPERTIES OF LARGE [100]−ORIENTED INSB SINGLE CRYSTALS GROWN BY CZOHRALSKI METHOD

Abstract

Проведено исследование свойств нелегированных и легированных крупногабаритных монокристаллов антимонида индия, выращенных методом Чохральского в кристаллографическом направлении [100] с целью использования их в качестве материала для подложек при создании ИК фотоприемных устройств нового поколения. Установлено, что неоднород-ность электрических свойств в крупногабаритных нелегированных монокристаллах антимонида индия, ориентированных в направлении [100], не превышает 10—16 %. Средняя плотность дислокаций в этих монокристаллах составляет 7,0 101 см−2, и распределение их по диаметру пластин с ориентацией (100) гораздо более равномерно, чем в пластинах с ориентацией (211).Проведено исследование микроструктуры сильнолегированных теллуром монокристаллов антимонида индия. Установлено, что средняя плотность дислокаций в них не превышает значения 1 · 102 см−2. Введение теллура в количестве, обеспечивающем концентрацию основных носителей более 1,5 · 1018 см−3, приводит к появлению включений второй фазы. Показано, что в образцах с концентрацией носителей ~6,9 · 1017 см−3 величина оптического пропускания в интервале длин волн 3—5 мкм составляет не менее 40 %.