Anisotropic etching of silicon for complementary dielectric isolated substrate process.

Abstract

Si単結晶基板ヒに台形状の良好な島を形成し, かつエッチ面が平坦で鏡面とするための異方性エッチングについて検討した.コーナカットの問題に対してはKOH液に加える添加剤の作用と補償パタンの適正化について, エッチ面の平坦性を損なうMPに対しては添加剤との関係について実験を行い, 次の結果を得た. (1) KOH液に加える添加剤としてのアルコールは島の形状崩れを抑制する効果をもつ一方で, MPの発生原因にもなっている。そして分子量の大きいアルコールほど形状崩れの抑制効果は強くなるが, MPの発生密度も高くなる. (2) 補償パタンはその中心が本パタンのコーナー上になるように配置した場合が最適である, その適正寸法lはエッチング液の一定の組成を選択した場合, その液によって決まるエッチファクタfとエッチ深さdmに依存して l=√2dmf-a (t) と表せる.α (t) はオーバエッチング時間に比例した補償パタンの寸法補正量である. (3) EAを添加したKOH液と適正寸法の補償パタンを用いて, MP密度が10個/cm²以下と少なく, かつ良好な形状の島が形成された.この結果に基づいて相補形DI基板を製作し, そこに形成した高耐圧LSIが正常に動作することを確認した.