Design of Peltier Element Based on Semiconductors with Hopping Electron Transfer via Defects
Open Access
- 19 March 2021
- journal article
- research article
- Published by Belarusian National Technical University in Devices and Methods of Measurements
- Vol. 12 (1), 13-22-22
- https://doi.org/10.21122/2220-9506-2021-12-1-13-22
Abstract
Исследование термоэлектрических свойств кристаллических полупроводников с дефектами структуры представляет практический интерес при создании радиационно-стойких элементов Пельтье. При этом важную роль играет спектр уровней энергии водородоподобных примесей и собственных точечных дефектов в энергетической щели (запрещённой зоне) кристалла. Цель работы анализ особенностей одноэлектронной зонной модели полупроводников с прыжковой миграцией электронов как по атомам водородоподобных примесей, так и по собственным точечным трёхзарядным дефектам, а также поиск возможности их использования в элементе Пельтье в области температур, когда переходами электронов и дырок с атомов примесей и/или собственных дефектов в cи v-зоны можно пренебречь. В качестве элементов Пельтье с прыжковой миграцией электронов предложены: 1) h-диод, содержащий |d1)и |d2)-области с водородоподобными донорами двух сортов в зарядовых состояниях (0) и (+1) и компенсирующие их водородоподобные акцепторы в зарядовом состоянии (−1); 2) однородный полупроводник, содержащий собственные t-дефекты в зарядовых состояниях (−1, 0, +1), а также ионы доноров и акцепторов для управления распределением t-дефектов по зарядовых состояниям. Проанализированы зонные диаграммы предлагаемых элементов Пельтье в равновесии и при возбуждении стационарного прыжкового электрического тока. Рассмотрена модель h-диода, содержащего водородоподобные доноры двух сортов |d1) и |d2) с прыжковой миграцией между ними электронов при компенсации их на 50 % акцепторами. Показано, что при обратном (прямом) электрическом смещении диода возможно охлаждение (нагревание) области двойного электрического слоя между |d1)и |d2)-областями. Рассмотрен элемент Пельтье на основе полупроводника с точечными t-дефектами. Принималось, что температура, а также концентрации ионов водородоподобных акцепторов и доноров таковы, что практически все t-дефекты находятся в зарядовом состоянии (0). Показано, что в таком элементе возможно охлаждение контакта металл-полупроводник, находящегося под отрицательным электрическим потенциалом, и нагревание противоположного контакта, под положительным потенциалом.Keywords
This publication has 50 references indexed in Scilit:
- Printable Thermoelectric Materials and ApplicationsFrontiers in Materials, 2019
- Effects of Disorder on Thermoelectric Properties of Semiconducting PolymersScientific Reports, 2019
- A Nanoscale Standard for the Seebeck CoefficientNano Letters, 2011
- Current trends in the physics of thermoelectric materialsPhysics-Uspekhi, 2010
- Chemical aspects of the design of thermoelectric materialsRussian Chemical Reviews, 2008
- Limiting values of the quality factor of thermoelectric compositesSemiconductors, 2008
- New Directions for Low‐Dimensional Thermoelectric MaterialsAdvanced Materials, 2007
- A lattice model of thermopower in hopping conduction: Application to neutron-doped crystalline germaniumPhysics of the Solid State, 2001
- ThermoelectricsPublished by Springer Science and Business Media LLC ,2001
- Thermopower of transmutation-doped Ge:Ga in the region for hopping conductivitySemiconductors, 1997