Bor ve Flor Katkılanmış ZnO İnce Filmlerinde K tabakası Flüoresans Verimlerinin XRF Tekniği ile Ölçülmesi
- 23 October 2018
- journal article
- Published by Kahramanmaras Sutcu Imam University Journal of Engineering Sciences in Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi
- Vol. 21 (3), 209-216
- https://doi.org/10.17780/ksujes.430381
Abstract
Bu çalışmada, kimyasal püskürtme yöntemi ile %1-5 oranında flor katkılanılarak ve %2-5 oranında bor katkılanılarak üretilen, ZnO (çinko oksit) ince filmlerde çinkonun K tabakası flüoresans verimlerinin ( wK) bor ve flor katkı miktarlarına göre değişimi, X-ışını Flüoresans (XRF) tekniği ile incelendi. Numuneleri uyarmak için 50 mCi şiddetinde ve 59.543 keV enerjili fotonlar yayınlayan bir 241Am radyoizotop kaynağı kullanıldı. Numunelerden yayınlanan karakteristik K X-ışınlarını saymak için 5.96 keV’de yarı maksimumdaki tam genişliği (FWHM) 150 eV, aktif alanı 30 mm2 ve kalınlığı 5mm, polimer pencere kalınlığı 0.4μm olan Ultra-LEGe dedektörü kullanıldı. Flor katkılanarak üretilen ZnO ince filmlerinde florun katkı miktarı artarken K kabuğu flüoresans verim değerleri azalmıştır. Ancak, bor ekleyerek üretilen ZnO ince filmlerde, bor katkısı artarken K kabuğu flüoresans verim değerleri de artmıştır. Bunun nedeni ZnO ince filmine bor ve flor ilavesinin ZnO yapısında perdeleme etkisi, bağ uzunluğu, kafes simetrisi gibi bazı etkileşimleri değiştirmesi olabilir. Bu değişimde K X-ışını yayınlama ihtimalini değiştirir. K tabakası flüoresans verimlerinin flor ve bor katkı miktarlarına göre değişimlerinin nedenlerinden biri de, katkılanan flor ve borun ZnO ince filmindeki oksijen iyonları ile yer değiştirmesi olabilir. Bunlara ek olarak, elementler kimyasal bileşiklerde yer alırlarsa, yayınladıkları X-ışını çizgisinin dalga boyunda, çizgi şiddetinde ve şeklinde değişimler görülür.Keywords
This publication has 20 references indexed in Scilit:
- Sol–gel synthesis of intrinsic and aluminum-doped zinc oxide thin films as transparent conducting oxides for thin film solar cellsThin Solid Films, 2013
- Controllable Electrical Properties of Metal-Doped In2O3 Nanowires for High-Performance Enhancement-Mode TransistorsACS Nano, 2012
- Mechanical integrity of flexible InZnO/Ag/InZnO multilayer electrodes grown by continuous roll-to-roll sputteringSolar Energy Materials and Solar Cells, 2011
- K-shell fluorescence yields for elements with 6≤Z≤99Radiation Physics and Chemistry, 2011
- Free Electron Concentration in Colloidal Indium Tin Oxide Nanocrystals Determined by Their Size and StructureThe Journal of Physical Chemistry C, 2010
- Determination of experimental K-shell fluorescence yield for potassium and calcium compoundsPramana, 2008
- Zinc oxide films prepared by sol-gel spin-coatingThin Solid Films, 2000
- A Review, Bibliography, and Tabulation of K, L, and Higher Atomic Shell X-Ray Fluorescence YieldsJournal of Physical and Chemical Reference Data, 1994
- Energy dependence of photon‐induced Kα and Kβ x‐ray fluorescence cross‐sections for some elements with 20 ≤ Z ≤ 56X-Ray Spectrometry, 1985
- X-Ray Fluorescence Yields, Auger, and Coster-Kronig Transition ProbabilitiesReviews of Modern Physics, 1972